IPhone A7 Chip Teardown: Power-Dichte Samsung Silicon

Wir haben bereits gesehen, in dem iPhone 5 s und fand heraus, dass seine Eingeweide sehr schnell sind – aber jetzt iFixit hat eine hautnahe Einblicke in der Tat an der A7-Silizium, die auch das neue Telefon.

Mithilfe von Radierer Ion Beam ist es möglich, Schichten aus einem Halbleiter zu analysieren, wie es gemacht wird. Also das ist was iFixit hat, in Verbindung mit Chipworks. Hier sind einige der wichtigsten Entdeckungen:

• Erstens, ein Biggy: "Wir haben bestätigt, durch frühzeitige Analyse, dass das Gerät bei Samsungs Gießerei hergestellt ist. Wir vermuten, wir werden sehen, dass Samsungs 28 nm Hi-K Metal Gate (HKMG) verwendet wird. "
• Der Abstand zwischen den einzelnen Chip Transistoren ist 114 nm, im Vergleich zu den A6′s 123 nm.
• Dieser 9 nm Unterschied — aus einem 28-nm-Verfahren auf einem 32-nm-Verfahren – bedeutet die gleiche Rechenleistung kann in nur 77 Prozent der ursprünglichen Fläche gepresst werden. Aber angesichts der A7 ist größer als der A6, es ist klar, wo all das poke entstammte.
• Insgesamt packt die A7 1 Milliarde plus Transistoren auf einem Feld 102 Quadratmillimeter.
• Chipworks behauptet, dass die M7-Abschnitt des Siliziums ein NXP LPC18A1 – Bestandteil der LPC1800-Serie von Hochleistungs-ARM Cortex-M3 Mikrocontroller basierte.
• In der Tat der M7 packt Beschleunigungssensor, Gyroskop und Magnetometer, und einige ausgefallene Mathematik vor der Übergabe ordentlich Kalibrierungsdaten an der Haupt-Chip hat.
• Das WLAN-Modul ist genau dasselbe wie das im iPhone 5.
• Die 4G LTE Modem verwendet zwei Chips: eine Samsung-fabrizierten LTE Basisbandprozessor und ein Samsung DRAM-Modul, Träger bestimmte Informationen zu behalten.

Und das ist so ziemlich alle wichtigen News. Möchten Sie mehr erfahren, aber, gehen Sie direkt zu iFixit für die ganze Geschichte. [iFixit]