Resistive RAM: Terabyte Speicherplatz, 20 Mal schneller als NAND


Gibt es nie ein Mangel an neuen experimentellen Formen der Erinnerung – aber eine Firma namens Crossbar hat so genannte resistive RAM, die den Boden mit NAND wischen konnte jetzt aufgearbeitet.

Bei halb so groß wie herkömmliche NAND RAM aber mit 20 Mal schneller Schreibgeschwindigkeit — rund 140MB/s – dieses Zeug wirklich bedeutet Geschäft. Außerdem verwendet 20 Mal weniger Strom, letzten 10 mal so lange, und liest Daten mit 17MB/s. Die 3D-Struktur auch bietet es mit beeindruckenden Datendichte zu: ein 200mm-2 -Chip bietet offenbar bis zu 1 TB Speicher. Es ist nicht gerade ein fairer Kampf.

Der neue Stil der RAM, die fast bereit, seinen Weg in Geräten zu finden ist, verwendet eine drei-Schicht-Struktur, die in drei Dimensionen gestapelt werden kann, aber kann hergestellt werden in einer standard Chipfabrik. Mehr als das, wird es behauptet, dass es mit bestehenden Produktions-Infrastruktur selbst gemacht werden kann.

Die neue RAM wird zuerst in embedded SoCs ausrollen – obwohl Querstange ist der exklusive Inhaber des RRAM Patente, so dass nicht klar ist, wie günstig es sein werde. Daumen, es beweist erschwinglich. [Querbalken über VentureBeat über Engadget]

Etikett: Engineering, Mut, Ram, Recherche, Storgage
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